次世代の半導体材料開発を目指して


今回は、電気電子工学科化合物半導体研究室(小澤研究室)を紹介します。私たちは、次世代半導体の育成技術とクリーンエネルギーデバイスへの応用について研究しています。特に、本研究室で開発した低出力の窒素プラズマ置換法を用いて、次世代半導体であるAlN窒化物半導体を従来の方法よりも安価、安全で、高品質の単結晶化に成功しました。AlN窒化物半導体は、電気自動車等で使用される次世代のパワーエレクトロニクス素子として期待されています。